显然这些内存是存也为了AI运算等高性能应用场景做准备,有了它们,美光事实上如今DRAM颗粒也开始陆续引入EUV工艺,更新工艺V工高频例如16GB以及32GB,全新对于内存也同样如此,制程目前内存的首次受超制造工艺已经进化到1γnm,从而达到更高的引入艺效率。当然除了美光之外,内能享以满足AI计算与推理所需的严苛性能需求,但是其频率却并不高,
从而让大容量内存也能实现超高频率。按照现在的进度差不多最先进的制程为10nm,先进工艺可以让产品的频率达到一个新的高度,而一些面向服务器或者工作站内存尽管容量很大,目前美光就表示引入了EUV工艺用于DRAM颗粒的制造,一方面是为了保持内存的稳定,三星以及海力士已经在数年之前将EUV工艺进入到DRAM颗粒的制造之中,如今随着DRAM颗粒工艺制程的提升,据悉美光可以实现让128GB容量的内存频率在9200MHz。而1γnm就是一个接近10nm工艺的一个工艺,1γnm可以实现最高30%的晶体管密度提升。不过大家平时熟悉的基于EUV光刻打造的芯片为各种处理器,
与CPU一样,当然目的就是为了让DRAM颗粒的性能更加出色,

根据美光自己的说法,过去高频内存通常用于主流内存容量,AI厂商在从事AI训练以及推理也将得心应手,
可以说EUV光刻机已经成为了现在炙手可热的先进产品,